钇掺杂对ZnO电阻片微观结构和电性能的影响

研究了在ZnO-Bi2O3-Sb2O3系ZnO电阻片中添加少量硼酸和掺杂0.2%～0.8%(摩尔分数)的氧化钇(Y2O3),其显微结构和电性能的变化情况。结果表明,随Y2O3掺杂量的增加,ZnO压敏电阻片的电位梯度从210V/mm提高到422.5V/mm;当掺杂量为0.6%(摩尔分数)时,电性能达到最佳,即残压比最小,为1.12;漏电流最小,为353.0μA。掺杂Y2O3使ZnO晶粒周围除了形成Zn7Sb2O12尖晶石外,还形成了具有细微颗粒的含钇相(Zn-Sb-Y-O)和含铋相(Bi-Sb-O),尖晶石相、含钇相和含铋相的同时存在更加有效地抑制了ZnO晶粒的长大。添加硼酸和增加含钇相在很大程度上改善了ZnO电阻片的电性能。     

Voltage regulation of a stand-alone self-excited induction generator using STATCON with one cycle control technique for wind energy conversion system

ABSTRACT

This paper presents the simple voltage regulation scheme using a three-phase static VAr compensator (STATCON) for a stand-alone self-excited induction generator (SEIG) that uses variable-speed wind generation system. Most of the loads are inductive and need an equal amount of leading VArs, which is generated by the STATCON and injected at point of common coupling instantaneously. The one cycle control technique is considered and modified to implement for VAr compensation of SEIG voltage regulation. To emphasis the controller characteristics, a STATCON is designed for a 3-Ø, 0.75?kW, 415?V, 1.8?A Induction Machine and tested in simulation using MATLAB/SIMULINK software.     

变电站电压无功控制实现方式探讨及改进

在变电站电压无功综合自动控制（VQC）中，主要有以下几种实现方式：自带I＼O系统的VQC、利用自动化系统后台监控系统的VQC实现方式、自动化系统网络VQC以及半独监的VQC实现方式．根据现场实际运行情况，对各种方式进行了仔细分析和研究；指出了它们的优缺点和现存的主要问题．在此基础上，提出了一种改进的VQC实现方案，和现有的几种实现方式相比，它具有闭锁可靠性岛、速度快等特点．     

关于《建筑电气通用图集》中消防泵减压起动装置的讨论

文章就建筑电气通用图集中火灾报警与控制分册的消防泵减压起动控制装置的接线和控制原则所出现的差错进行了探讨,并提出了值得讨论的问题供大家参考.     

Ni-Cr桥膜换能元的制备

为了制作出阻值一致性好,发火电压低的金属桥膜换能元,对Ni-Cr薄膜换能元制作过程中的薄膜溅射、刻蚀等工艺进行了探索,并对制作的换能元参数进行了测试.结果显示随着溅射功率的减小,薄膜的沉积速率减小,成膜致密性提高;在一定范围内,刻蚀液中高氯酸所占的比例越大,刻蚀用时越短.制作的Ni-Cr薄膜换能元电阻的一致性较好,在4...     

弧光接地过电压的限制措施

针对包钢供电系统弧光过电压事故,分析了几种限制弧光接地过电压措施的优缺点,最后介绍了一种新型的消弧及过电压保护装置.     

直流母线过压对风电机组高电压穿越影响

针对某风电场双馈机组的现场高电压穿越测试中变流器故障导致风电机组脱网的问题,通过对风电机组变流器过压的深入分析,提出了一种风电机组在高电压穿越期间动态调整变流器母线参考电压的方法,解决了现场变流器过压保护导致风电机组脱网的问题。通过现场实测验证了所提策略的有效性,为风电机组的高电压穿越能力改造提供借鉴,为防范直流送端新能源电力系统的震荡提供了有益参考。     

GaN基HEMT场板结构研究进展

综述了近年来GaN基HEMT场板结构研究的最新进展,介绍了场板结构定义以及提高栅漏击穿电压的原理,总结了均匀场板结构、台阶场板结构、多层场板结构、双场板结构等对栅漏击穿电压BVGD的改善情况,叙述了栅终端场板和源终端场板的功率附加效率(PAE)、截止频率fT、最大振荡频率fMAX、增益等微波特性的不同点,获得了最佳场板结构以及场板连接方式.     

铂扩散快恢复二极管特性的研究

描述了用直拉单晶(CZ)硅片采取铂液态源扩散的方法控制少子寿命,以达到减小快恢复二极管的反向恢复时间的目的.通过一系列的实验对铂扩散二极管的特性进行研究,分析了铂扩散二极管的反向恢复时间TRR、正向压降VF以及漏电流IR等参数之间的关系,并分析了反向恢复时间TRR的温度特性.得到TRR与VF之间的理想折衷:TRR为80～500 ns,VF控制在0.9～1.3 V.不但使TRR与VF的折衷有了较大的改善,而且在材料上采用了成本较低的直拉单晶硅片代替成本较高的外延片.分析了铂扩散温度和时间对反向恢复时间TRR和正向压降VF的影响,理论上解释了各主要参数之间相互影响的原因.     

高压LDMOS场极板的分析与设计

场板是高压LDMOS中普遍使用的一种结终端技术,对单阶梯LDMOS场板的长度、其下方氧化层厚度以及场氧侵蚀厚度等参数进行了模拟和分析,在此基础上设计了一种新型体硅双阶梯场板LDMOS,并对其具体参数进行了细致的模拟和分析.模拟结果表明,双阶梯场板LDMOS的击穿电压比单阶梯场板LDMOS提高了15.3%,导通电阻降低了17.1%,电流驱动能力也提高了8.5%.